Infineon HEXFET Silicon N-Channel MOSFET, 84 A, 60 V, 3-Pin D2PAK IRF1010ESTRLPBF

RS tilauskoodi: 222-4732Tuotemerkki: InfineonValmistajan osanumero.: IRF1010ESTRLPBFDistrelec Article No.: 30284002
brand-logo
Näytä kaikki MOSFETs tuotteet

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

Infineon

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

84 A

Maximum Drain Source Voltage

60 V

Series

HEXFET

Package Type

D2PAK (TO-263)

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

0.012 Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

4V

Number of Elements per Chip

1

Transistor Material

Silicon

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

€ 608,80

€ 0,761 1 kpl (800 kpl/kela) (ilman ALV)

€ 764,04

€ 0,955 1 kpl (800 kpl/kela) (Sis ALV:n)

Infineon HEXFET Silicon N-Channel MOSFET, 84 A, 60 V, 3-Pin D2PAK IRF1010ESTRLPBF

800

Pakkauskoko 800
800€ 608,80
1600€ 1 217,60
2400€ 1 826,40
3200€ 2 435,20
4000€ 3 044,00
4800€ 3 652,80
5600€ 4 261,60
6400€ 4 870,40
7200€ 5 479,20
8000€ 6 088,00
8800€ 6 696,80
9600€ 7 305,60
10400€ 7 914,40
11200€ 8 523,20
12000€ 9 132,00

€ 608,80

€ 0,761 1 kpl (800 kpl/kela) (ilman ALV)

€ 764,04

€ 0,955 1 kpl (800 kpl/kela) (Sis ALV:n)

Infineon HEXFET Silicon N-Channel MOSFET, 84 A, 60 V, 3-Pin D2PAK IRF1010ESTRLPBF

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

800

Pakkauskoko 800
800€ 608,80
1600€ 1 217,60
2400€ 1 826,40
3200€ 2 435,20
4000€ 3 044,00
4800€ 3 652,80
5600€ 4 261,60
6400€ 4 870,40
7200€ 5 479,20
8000€ 6 088,00
8800€ 6 696,80
9600€ 7 305,60
10400€ 7 914,40
11200€ 8 523,20
12000€ 9 132,00

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

Infineon

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

84 A

Maximum Drain Source Voltage

60 V

Series

HEXFET

Package Type

D2PAK (TO-263)

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

0.012 Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

4V

Number of Elements per Chip

1

Transistor Material

Silicon

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja