Infineon CoolMOS™ C3 N-Channel MOSFET, 11 A, 800 V, 3-Pin TO-220 SPA11N80C3XKSA1
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
InfineonChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
11 A
Maximum Drain Source Voltage
800 V
Series
CoolMOS™ C3
Package Type
TO-220
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
450 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
3.9V
Minimum Gate Threshold Voltage
2.1V
Maximum Power Dissipation
41 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Typical Gate Charge @ Vgs
64 nC @ 10 V
Width
4.85mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Length
10.65mm
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Height
9.83mm
Tuotetiedot
Infineon CoolMOS™C3 Power MOSFET
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
€ 3,05
€ 3,05 kpl (ilman ALV)
€ 3,83
€ 3,83 kpl (Sis ALV:n)
Standardi
1
€ 3,05
€ 3,05 kpl (ilman ALV)
€ 3,83
€ 3,83 kpl (Sis ALV:n)
Standardi
1
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Tarkista myöhemmin uudelleen.
| Määrä | Yksikköhinta |
|---|---|
| 1 - 9 | € 3,05 |
| 10 - 24 | € 2,70 |
| 25 - 49 | € 2,55 |
| 50 - 99 | € 2,35 |
| 100+ | € 2,15 |
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
InfineonChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
11 A
Maximum Drain Source Voltage
800 V
Series
CoolMOS™ C3
Package Type
TO-220
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
450 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
3.9V
Minimum Gate Threshold Voltage
2.1V
Maximum Power Dissipation
41 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Typical Gate Charge @ Vgs
64 nC @ 10 V
Width
4.85mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Length
10.65mm
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Height
9.83mm
Tuotetiedot
Infineon CoolMOS™C3 Power MOSFET
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.