IXYS HiperFET, Polar N-Channel MOSFET, 16 A, 500 V, 3-Pin TO-247 IXFH16N50P
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
IXYSChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
16 A
Maximum Drain Source Voltage
500 V
Package Type
TO-247
Series
HiperFET, Polar
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
400 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
5.5V
Maximum Power Dissipation
300 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-30 V, +30 V
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Length
16.26mm
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Typical Gate Charge @ Vgs
43 nC @ 10 V
Width
5.3mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Height
21.46mm
Tuotetiedot
N-channel Power MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar™ Series
N-Channel Power MOSFETs with Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™) from IXYS
MOSFET Transistors, IXYS
A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
€ 31,50
€ 6,30 kpl (toimitus putkessa) (ilman ALV)
€ 39,53
€ 7,91 kpl (toimitus putkessa) (Sis ALV:n)
Tuotantopakkaus (Putki)
5
€ 31,50
€ 6,30 kpl (toimitus putkessa) (ilman ALV)
€ 39,53
€ 7,91 kpl (toimitus putkessa) (Sis ALV:n)
Tuotantopakkaus (Putki)
5
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Tarkista myöhemmin uudelleen.
| Määrä | Yksikköhinta |
|---|---|
| 5 - 9 | € 6,30 |
| 10 - 14 | € 6,00 |
| 15 - 19 | € 5,60 |
| 20+ | € 5,30 |
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
IXYSChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
16 A
Maximum Drain Source Voltage
500 V
Package Type
TO-247
Series
HiperFET, Polar
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
400 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
5.5V
Maximum Power Dissipation
300 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-30 V, +30 V
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Length
16.26mm
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Typical Gate Charge @ Vgs
43 nC @ 10 V
Width
5.3mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Height
21.46mm
Tuotetiedot
N-channel Power MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar™ Series
N-Channel Power MOSFETs with Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™) from IXYS
MOSFET Transistors, IXYS
A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.