ON Semi BD13916STU NPN Transistor, 1.5 A, 80 V, 3-Pin TO-126
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
onsemiTransistor Type
NPN
Maximum DC Collector Current
1.5 A
Maximum Collector Emitter Voltage
80 V
Package Type
TO-126
Mounting Type
Through Hole
Maximum Power Dissipation
12.5 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Collector Base Voltage
80 V
Maximum Emitter Base Voltage
5 V
Pin Count
3
Number of Elements per Chip
1
Dimensions
8 x 3.25 x 11mm
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Tuotetiedot
Small Signal NPN Transistors, 60V to 100V, Fairchild Semiconductor
Bipolar Transistors, Fairchild Semiconductor
Bipolar Junction Transistors (BJT) broad range provides complete solutions for various circuit application needs. Innovative packages are designed for minimal size, highest reliability and maximum thermal performance.
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
€ 31,60
€ 0,316 kpl (toimitus putkessa) (ilman ALV)
€ 39,66
€ 0,397 kpl (toimitus putkessa) (Sis ALV:n)
Tuotantopakkaus (Putki)
100
€ 31,60
€ 0,316 kpl (toimitus putkessa) (ilman ALV)
€ 39,66
€ 0,397 kpl (toimitus putkessa) (Sis ALV:n)
Tuotantopakkaus (Putki)
100
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Tarkista myöhemmin uudelleen.
| Määrä | Yksikköhinta | Per Putki |
|---|---|---|
| 100 - 490 | € 0,316 | € 3,16 |
| 500 - 990 | € 0,291 | € 2,91 |
| 1000+ | € 0,268 | € 2,68 |
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
onsemiTransistor Type
NPN
Maximum DC Collector Current
1.5 A
Maximum Collector Emitter Voltage
80 V
Package Type
TO-126
Mounting Type
Through Hole
Maximum Power Dissipation
12.5 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Collector Base Voltage
80 V
Maximum Emitter Base Voltage
5 V
Pin Count
3
Number of Elements per Chip
1
Dimensions
8 x 3.25 x 11mm
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Tuotetiedot
Small Signal NPN Transistors, 60V to 100V, Fairchild Semiconductor
Bipolar Transistors, Fairchild Semiconductor
Bipolar Junction Transistors (BJT) broad range provides complete solutions for various circuit application needs. Innovative packages are designed for minimal size, highest reliability and maximum thermal performance.
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.