STMicroelectronics BD139-10 NPN Transistor, 3 A, 80 V, 3-Pin SOT-32
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
STMicroelectronicsTransistor Type
NPN
Maximum DC Collector Current
3 A
Maximum Collector Emitter Voltage
80 V
Package Type
SOT-32
Mounting Type
Through Hole
Maximum Power Dissipation
1.25 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Collector Base Voltage
80 V
Maximum Emitter Base Voltage
5 V
Pin Count
3
Number of Elements per Chip
1
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Dimensions
10.8 x 7.8 x 2.7mm
Tuotetiedot
General Purpose NPN Transistors, STMicroelectronics
Bipolar Transistors, STMicroelectronics
A broad range of NPN and PNP Bipolar Transistors from STMicroelectronics including General Purpose, Darlington, Power and High-Voltage devices in both SMT and Through-hole packages.
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
€ 14,50
€ 0,29 1 kpl (50 kpl/putki) (ilman ALV)
€ 18,20
€ 0,364 1 kpl (50 kpl/putki) (Sis ALV:n)
50
€ 14,50
€ 0,29 1 kpl (50 kpl/putki) (ilman ALV)
€ 18,20
€ 0,364 1 kpl (50 kpl/putki) (Sis ALV:n)
50
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Tarkista myöhemmin uudelleen.
| Määrä | Yksikköhinta | Per Putki |
|---|---|---|
| 50 - 50 | € 0,29 | € 14,50 |
| 100 - 150 | € 0,156 | € 7,80 |
| 200 - 450 | € 0,148 | € 7,40 |
| 500 - 950 | € 0,142 | € 7,10 |
| 1000+ | € 0,128 | € 6,40 |
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
STMicroelectronicsTransistor Type
NPN
Maximum DC Collector Current
3 A
Maximum Collector Emitter Voltage
80 V
Package Type
SOT-32
Mounting Type
Through Hole
Maximum Power Dissipation
1.25 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Collector Base Voltage
80 V
Maximum Emitter Base Voltage
5 V
Pin Count
3
Number of Elements per Chip
1
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Dimensions
10.8 x 7.8 x 2.7mm
Tuotetiedot
General Purpose NPN Transistors, STMicroelectronics
Bipolar Transistors, STMicroelectronics
A broad range of NPN and PNP Bipolar Transistors from STMicroelectronics including General Purpose, Darlington, Power and High-Voltage devices in both SMT and Through-hole packages.
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.