STMicroelectronics SCT SiC N-Channel MOSFET, 100 A, 1200 V, 4-Pin HiP247-4 SCT020W120G3-4AG
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
STMicroelectronicsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
100 A
Maximum Drain Source Voltage
1200 V
Package Type
HiP247-4
Series
SCT
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
4
Channel Mode
Enhancement
Transistor Material
SiC
Number of Elements per Chip
1
Alkuperämaa
China
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
€ 1 464,00
€ 48,80 1 kpl (30 kpl/putki) (ilman ALV)
€ 1 837,32
€ 61,244 1 kpl (30 kpl/putki) (Sis ALV:n)
30
€ 1 464,00
€ 48,80 1 kpl (30 kpl/putki) (ilman ALV)
€ 1 837,32
€ 61,244 1 kpl (30 kpl/putki) (Sis ALV:n)
30
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Tarkista myöhemmin uudelleen.
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
STMicroelectronicsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
100 A
Maximum Drain Source Voltage
1200 V
Package Type
HiP247-4
Series
SCT
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
4
Channel Mode
Enhancement
Transistor Material
SiC
Number of Elements per Chip
1
Alkuperämaa
China
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.