STMicroelectronics N-Channel MOSFET, 80 A, 100 V, 3-Pin D2PAK STB100N10F7
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
STMicroelectronicsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
80 A
Maximum Drain Source Voltage
100 V
Series
STripFET H7
Package Type
D2PAK (TO-263)
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
8 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
2.5V
Maximum Power Dissipation
150 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip
1
Length
10.4mm
Typical Gate Charge @ Vgs
61 nC @ 10 V
Maximum Operating Temperature
+175 °C
Transistor Material
Si
Width
9.35mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Height
4.6mm
Tuotetiedot
N-Channel STripFET™ H7 Series, STMicroelectronics
STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
€ 90,00
€ 3,60 kpl (toimitus kelassa) (ilman ALV)
€ 112,95
€ 4,518 kpl (toimitus kelassa) (Sis ALV:n)
Tuotantopakkaus (Kela)
25
€ 90,00
€ 3,60 kpl (toimitus kelassa) (ilman ALV)
€ 112,95
€ 4,518 kpl (toimitus kelassa) (Sis ALV:n)
Tuotantopakkaus (Kela)
25
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Tarkista myöhemmin uudelleen.
| Määrä | Yksikköhinta | Per Kela |
|---|---|---|
| 25 - 45 | € 3,60 | € 18,00 |
| 50 - 120 | € 3,25 | € 16,25 |
| 125 - 245 | € 2,90 | € 14,50 |
| 250+ | € 2,75 | € 13,75 |
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
STMicroelectronicsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
80 A
Maximum Drain Source Voltage
100 V
Series
STripFET H7
Package Type
D2PAK (TO-263)
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
8 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
2.5V
Maximum Power Dissipation
150 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip
1
Length
10.4mm
Typical Gate Charge @ Vgs
61 nC @ 10 V
Maximum Operating Temperature
+175 °C
Transistor Material
Si
Width
9.35mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Height
4.6mm
Tuotetiedot
N-Channel STripFET™ H7 Series, STMicroelectronics
STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.