STMicroelectronics MDmesh M2 N-Channel MOSFET, 32 A, 650 V, 3-Pin TO-247 STW40N65M2
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
STMicroelectronicsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
32 A
Maximum Drain Source Voltage
650 V
Series
MDmesh M2
Package Type
TO-247
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
99 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
250 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-25 V, +25 V
Width
5.15mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Length
15.75mm
Typical Gate Charge @ Vgs
56.5 nC @ 10 V
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Height
20.15mm
Forward Diode Voltage
1.6V
Alkuperämaa
China
Tuotetiedot
N-channel MDmesh™ M2 Series, STMicroelectronics
A range of high-voltage power MOSFETs from STMicroelecronics. With their low gate charge and excellent output capacitance characteristics, the MDmesh M2 series are perfect for use in resonant-type switching supplies (LLC converters).
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
€ 6,80
€ 6,80 kpl (ilman ALV)
€ 8,53
€ 8,53 kpl (Sis ALV:n)
Standardi
1
€ 6,80
€ 6,80 kpl (ilman ALV)
€ 8,53
€ 8,53 kpl (Sis ALV:n)
Standardi
1
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Tarkista myöhemmin uudelleen.
| Määrä | Yksikköhinta |
|---|---|
| 1 - 4 | € 6,80 |
| 5 - 9 | € 6,50 |
| 10 - 24 | € 5,80 |
| 25 - 49 | € 5,20 |
| 50+ | € 4,95 |
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
STMicroelectronicsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
32 A
Maximum Drain Source Voltage
650 V
Series
MDmesh M2
Package Type
TO-247
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
99 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
250 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-25 V, +25 V
Width
5.15mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Length
15.75mm
Typical Gate Charge @ Vgs
56.5 nC @ 10 V
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Height
20.15mm
Forward Diode Voltage
1.6V
Alkuperämaa
China
Tuotetiedot
N-channel MDmesh™ M2 Series, STMicroelectronics
A range of high-voltage power MOSFETs from STMicroelecronics. With their low gate charge and excellent output capacitance characteristics, the MDmesh M2 series are perfect for use in resonant-type switching supplies (LLC converters).
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.