STMicroelectronics ST SiC N-Channel MOSFET Module, 52 A, 600 V Depletion, 3-Pin TO-247 STWA67N60M6
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
STMicroelectronicsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
52 A
Maximum Drain Source Voltage
600 V
Series
ST
Package Type
TO-247
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
0.045 Ω
Channel Mode
Depletion
Maximum Gate Threshold Voltage
4.75V
Number of Elements per Chip
1
Transistor Material
SiC
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
€ 17,40
€ 17,40 kpl (ilman ALV)
€ 21,84
€ 21,84 kpl (Sis ALV:n)
Standardi
1
€ 17,40
€ 17,40 kpl (ilman ALV)
€ 21,84
€ 21,84 kpl (Sis ALV:n)
Standardi
1
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Tarkista myöhemmin uudelleen.
| Määrä | Yksikköhinta |
|---|---|
| 1 - 4 | € 17,40 |
| 5 - 9 | € 17,00 |
| 10+ | € 14,90 |
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
STMicroelectronicsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
52 A
Maximum Drain Source Voltage
600 V
Series
ST
Package Type
TO-247
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
0.045 Ω
Channel Mode
Depletion
Maximum Gate Threshold Voltage
4.75V
Number of Elements per Chip
1
Transistor Material
SiC
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.