Toshiba N-Channel MOSFET, 39 A, 600 V, 3-Pin TO-247 TK39N60W,S1VF(S
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
ToshibaChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
39 A
Maximum Drain Source Voltage
600 V
Series
TK
Package Type
TO-247
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
65 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
3.7V
Maximum Power Dissipation
270 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-30 V, +30 V
Width
5.02mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Length
15.94mm
Typical Gate Charge @ Vgs
110 nC @ 10 V
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Height
20.95mm
Alkuperämaa
China
Tuotetiedot
MOSFET N-Channel, TK3x Series, Toshiba
MOSFET Transistors, Toshiba
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
€ 5,90
€ 5,90 kpl (ilman ALV)
€ 7,40
€ 7,40 kpl (Sis ALV:n)
1
€ 5,90
€ 5,90 kpl (ilman ALV)
€ 7,40
€ 7,40 kpl (Sis ALV:n)
1
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Tarkista myöhemmin uudelleen.
| Määrä | Yksikköhinta |
|---|---|
| 1 - 9 | € 5,90 |
| 10 - 49 | € 4,85 |
| 50 - 99 | € 4,40 |
| 100 - 199 | € 4,30 |
| 200+ | € 4,20 |
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
ToshibaChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
39 A
Maximum Drain Source Voltage
600 V
Series
TK
Package Type
TO-247
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
65 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
3.7V
Maximum Power Dissipation
270 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-30 V, +30 V
Width
5.02mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Length
15.94mm
Typical Gate Charge @ Vgs
110 nC @ 10 V
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Height
20.95mm
Alkuperämaa
China
Tuotetiedot
MOSFET N-Channel, TK3x Series, Toshiba
MOSFET Transistors, Toshiba
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.