Infineon CoolSiC MOSFET 650 V G1 SiC N-Channel MOSFET, 79 A, 650 V, 8-Pin PG-HSOF-8 IMT65R022M1HXUMA1
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
InfineonChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
79 A
Maximum Drain Source Voltage
650 V
Series
CoolSiC MOSFET 650 V G1
Package Type
PG-HSOF-8
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
8
Channel Mode
Enhancement
Number of Elements per Chip
1
Transistor Material
SiC
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
€ 36 000,00
€ 18,00 1 kpl (2000 kpl/kela) (ilman ALV)
€ 45 180,00
€ 22,59 1 kpl (2000 kpl/kela) (Sis ALV:n)
2000
€ 36 000,00
€ 18,00 1 kpl (2000 kpl/kela) (ilman ALV)
€ 45 180,00
€ 22,59 1 kpl (2000 kpl/kela) (Sis ALV:n)
2000
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Tarkista myöhemmin uudelleen.
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
InfineonChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
79 A
Maximum Drain Source Voltage
650 V
Series
CoolSiC MOSFET 650 V G1
Package Type
PG-HSOF-8
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
8
Channel Mode
Enhancement
Number of Elements per Chip
1
Transistor Material
SiC
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.