Infineon CoolMOS™ P7 N-Channel MOSFET, 1.9 A, 800 V, 3-Pin DPAK IPD80R3K3P7ATMA1
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
InfineonChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
1.9 A
Maximum Drain Source Voltage
800 V
Series
CoolMOS™ P7
Package Type
TO-252
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
3.3 O
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
3.5V
Number of Elements per Chip
1
Transistor Material
Si
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
€ 530,00
€ 0,212 1 kpl (2500 kpl/kela) (ilman ALV)
€ 665,15
€ 0,266 1 kpl (2500 kpl/kela) (Sis ALV:n)
2500
€ 530,00
€ 0,212 1 kpl (2500 kpl/kela) (ilman ALV)
€ 665,15
€ 0,266 1 kpl (2500 kpl/kela) (Sis ALV:n)
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
2500
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
InfineonChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
1.9 A
Maximum Drain Source Voltage
800 V
Series
CoolMOS™ P7
Package Type
TO-252
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
3.3 O
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
3.5V
Number of Elements per Chip
1
Transistor Material
Si
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.