Infineon OptiMOS™ -T2 N-Channel MOSFET, 80 A, 60 V, 3-Pin I2PAK IPI80N06S4L07AKSA2
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
InfineonChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
80 A
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Series
OptiMOS™ -T2
Package Type
I2PAK (TO-262)
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
0.0067 O
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.2V
Number of Elements per Chip
1
Transistor Material
Si
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
€ 7,06
€ 0,706 1 kpl (10 kpl/pakkaus) (ilman ALV)
€ 8,86
€ 0,886 1 kpl (10 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)
Standardi
10
€ 7,06
€ 0,706 1 kpl (10 kpl/pakkaus) (ilman ALV)
€ 8,86
€ 0,886 1 kpl (10 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)
Standardi
10
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Tarkista myöhemmin uudelleen.
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
InfineonChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
80 A
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Series
OptiMOS™ -T2
Package Type
I2PAK (TO-262)
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
0.0067 O
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.2V
Number of Elements per Chip
1
Transistor Material
Si
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.