IXYS HiperFET, Polar N-Channel MOSFET, 12 A, 500 V, 3-Pin TO-220 IXFP12N50P

RS tilauskoodi: 194-619PTuotemerkki: IXYSValmistajan osanumero.: IXFP12N50P
brand-logo
Näytä kaikki MOSFETs tuotteet

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

IXYS

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

12 A

Maximum Drain Source Voltage

500 V

Series

HiperFET, Polar

Package Type

TO-220

Mounting Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

500 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

5.5V

Maximum Power Dissipation

200 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-30 V, +30 V

Typical Gate Charge @ Vgs

29 nC @ 10 V

Width

4.83mm

Transistor Material

Si

Number of Elements per Chip

1

Length

10.66mm

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Height

9.15mm

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Tuotetiedot

N-channel Power MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar™ Series

N-Channel Power MOSFETs with Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™) from IXYS

MOSFET Transistors, IXYS

A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

€ 20,25

€ 4,05 kpl (toimitus putkessa) (ilman ALV)

€ 25,41

€ 5,083 kpl (toimitus putkessa) (Sis ALV:n)

IXYS HiperFET, Polar N-Channel MOSFET, 12 A, 500 V, 3-Pin TO-220 IXFP12N50P
Valitse pakkaustyyppi

Tuotantopakkaus (Putki)

Valitse pakkaustyyppi

Standardi - each

Pakkauskoko 5.

Tuotanto -

Pakkauskoko 5.

Suositellaan tilattaessa suuria määriä. Tuotteet on pakattu valmiiksi koneisiin asennettaviksi, jolloin voit parantaa tuotannon tehokkuutta.

5

Pakkauskoko 5
5€ 20,25
10€ 40,50
15€ 60,75
20€ 81,00
25€ 101,25
30€ 121,50
35€ 141,75
40€ 162,00
45€ 182,25
50€ 202,50
55€ 222,75
60€ 243,00
65€ 263,25
70€ 283,50
75€ 303,75

€ 20,25

€ 4,05 kpl (toimitus putkessa) (ilman ALV)

€ 25,41

€ 5,083 kpl (toimitus putkessa) (Sis ALV:n)

IXYS HiperFET, Polar N-Channel MOSFET, 12 A, 500 V, 3-Pin TO-220 IXFP12N50P
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Valitse pakkaustyyppi

Tuotantopakkaus (Putki)

Valitse pakkaustyyppi

Standardi - each

Pakkauskoko 5.

Tuotanto -

Pakkauskoko 5.

Suositellaan tilattaessa suuria määriä. Tuotteet on pakattu valmiiksi koneisiin asennettaviksi, jolloin voit parantaa tuotannon tehokkuutta.

5

Pakkauskoko 5
5€ 20,25
10€ 40,50
15€ 60,75
20€ 81,00
25€ 101,25
30€ 121,50
35€ 141,75
40€ 162,00
45€ 182,25
50€ 202,50
55€ 222,75
60€ 243,00
65€ 263,25
70€ 283,50
75€ 303,75

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Tarkista myöhemmin uudelleen.

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

IXYS

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

12 A

Maximum Drain Source Voltage

500 V

Series

HiperFET, Polar

Package Type

TO-220

Mounting Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

500 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

5.5V

Maximum Power Dissipation

200 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-30 V, +30 V

Typical Gate Charge @ Vgs

29 nC @ 10 V

Width

4.83mm

Transistor Material

Si

Number of Elements per Chip

1

Length

10.66mm

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Height

9.15mm

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Tuotetiedot

N-channel Power MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar™ Series

N-Channel Power MOSFETs with Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™) from IXYS

MOSFET Transistors, IXYS

A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja