onsemi 35V 8A, Schottky Diode, 3-Pin DPAK MBRD835LT4G

RS tilauskoodi: 463-981PTuotemerkki: onsemiValmistajan osanumero.: MBRD835LT4G
brand-logo

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

onsemi

Mounting Type

Surface Mount

Package Type

DPAK (TO-252)

Maximum Continuous Forward Current

8A

Peak Reverse Repetitive Voltage

35V

Diode Configuration

Single

Rectifier Type

Schottky Rectifier

Diode Type

Schottky

Pin Count

3

Number of Elements per Chip

1

Diode Technology

Schottky Barrier

Peak Non-Repetitive Forward Surge Current

75A

Tuotetiedot

ON Semiconductor Schottky Barrier Diodes

This ON Semiconductor Schottky power rectifier employs the Schottky barrier principle using a barrier metal to create the best forward voltage drop−reverse current exchange. Suitable for low voltage, high-frequency rectification as well as a freewheeling and polarity protection diode in a range of surface mount applications wherever a more compact size and weight are key.

Standards

Products with NSV-, SBR- or S-prefixed Manufacturer Part Nos are AEC-Q101 automotive qualified.

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

€ 48,80

€ 0,488 kpl (toimitus kelassa) (ilman ALV)

€ 61,24

€ 0,612 kpl (toimitus kelassa) (Sis ALV:n)

onsemi 35V 8A, Schottky Diode, 3-Pin DPAK MBRD835LT4G
Valitse pakkaustyyppi

€ 48,80

€ 0,488 kpl (toimitus kelassa) (ilman ALV)

€ 61,24

€ 0,612 kpl (toimitus kelassa) (Sis ALV:n)

onsemi 35V 8A, Schottky Diode, 3-Pin DPAK MBRD835LT4G

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Valitse pakkaustyyppi

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

MääräYksikköhintaPer Kela
100 - 240€ 0,488€ 4,88
250 - 490€ 0,422€ 4,22
500 - 990€ 0,371€ 3,71
1000+€ 0,337€ 3,37

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

onsemi

Mounting Type

Surface Mount

Package Type

DPAK (TO-252)

Maximum Continuous Forward Current

8A

Peak Reverse Repetitive Voltage

35V

Diode Configuration

Single

Rectifier Type

Schottky Rectifier

Diode Type

Schottky

Pin Count

3

Number of Elements per Chip

1

Diode Technology

Schottky Barrier

Peak Non-Repetitive Forward Surge Current

75A

Tuotetiedot

ON Semiconductor Schottky Barrier Diodes

This ON Semiconductor Schottky power rectifier employs the Schottky barrier principle using a barrier metal to create the best forward voltage drop−reverse current exchange. Suitable for low voltage, high-frequency rectification as well as a freewheeling and polarity protection diode in a range of surface mount applications wherever a more compact size and weight are key.

Standards

Products with NSV-, SBR- or S-prefixed Manufacturer Part Nos are AEC-Q101 automotive qualified.

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja