onsemi N-Channel MOSFET, 433 A, 40 V, 8-Pin DFNW8 NVMTS0D7N04CLTXG
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
onsemiChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
433 A
Maximum Drain Source Voltage
40 V
Package Type
DFNW8
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
8
Maximum Drain Source Resistance
630 μΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
1V
Maximum Power Dissipation
205 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±20 V
Number of Elements per Chip
1
Width
8mm
Length
8.1mm
Typical Gate Charge @ Vgs
99 nC @ 4.5 V
Maximum Operating Temperature
+175 °C
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.2V
Height
1.15mm
Automotive Standard
AEC-Q101
Alkuperämaa
Philippines
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
€ 21 000,00
€ 7,00 1 kpl (3000 kpl/kela) (ilman ALV)
€ 26 355,00
€ 8,785 1 kpl (3000 kpl/kela) (Sis ALV:n)
3000
€ 21 000,00
€ 7,00 1 kpl (3000 kpl/kela) (ilman ALV)
€ 26 355,00
€ 8,785 1 kpl (3000 kpl/kela) (Sis ALV:n)
3000
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Tarkista myöhemmin uudelleen.
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
onsemiChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
433 A
Maximum Drain Source Voltage
40 V
Package Type
DFNW8
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
8
Maximum Drain Source Resistance
630 μΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
1V
Maximum Power Dissipation
205 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±20 V
Number of Elements per Chip
1
Width
8mm
Length
8.1mm
Typical Gate Charge @ Vgs
99 nC @ 4.5 V
Maximum Operating Temperature
+175 °C
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.2V
Height
1.15mm
Automotive Standard
AEC-Q101
Alkuperämaa
Philippines
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.