STMicroelectronics BUL216 NPN Transistor, 4 A, 800 V, 3-Pin TO-220
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
STMicroelectronicsTransistor Type
NPN
Maximum DC Collector Current
4 A
Maximum Collector Emitter Voltage
800 V
Package Type
TO-220
Mounting Type
Through Hole
Maximum Power Dissipation
9 W
Minimum DC Current Gain
12
Transistor Configuration
Single
Maximum Collector Base Voltage
1600 V
Maximum Emitter Base Voltage
9 V
Pin Count
3
Number of Elements per Chip
1
Dimensions
9.15 x 10.4 x 4.6mm
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Length
10.4mm
Tuotetiedot
High Voltage Transistors, STMicroelectronics
Bipolar Transistors, STMicroelectronics
A broad range of NPN and PNP Bipolar Transistors from STMicroelectronics including General Purpose, Darlington, Power and High-Voltage devices in both SMT and Through-hole packages.
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
€ 3,35
€ 3,35 kpl (ilman ALV)
€ 4,20
€ 4,20 kpl (Sis ALV:n)
1
€ 3,35
€ 3,35 kpl (ilman ALV)
€ 4,20
€ 4,20 kpl (Sis ALV:n)
1
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Tarkista myöhemmin uudelleen.
| Määrä | Yksikköhinta |
|---|---|
| 1 - 9 | € 3,35 |
| 10 - 99 | € 2,85 |
| 100 - 249 | € 2,20 |
| 250 - 499 | € 2,15 |
| 500+ | € 1,90 |
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
STMicroelectronicsTransistor Type
NPN
Maximum DC Collector Current
4 A
Maximum Collector Emitter Voltage
800 V
Package Type
TO-220
Mounting Type
Through Hole
Maximum Power Dissipation
9 W
Minimum DC Current Gain
12
Transistor Configuration
Single
Maximum Collector Base Voltage
1600 V
Maximum Emitter Base Voltage
9 V
Pin Count
3
Number of Elements per Chip
1
Dimensions
9.15 x 10.4 x 4.6mm
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Length
10.4mm
Tuotetiedot
High Voltage Transistors, STMicroelectronics
Bipolar Transistors, STMicroelectronics
A broad range of NPN and PNP Bipolar Transistors from STMicroelectronics including General Purpose, Darlington, Power and High-Voltage devices in both SMT and Through-hole packages.
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.