STMicroelectronics SCT SiC N-Channel MOSFET, 30 A, 650 V, 4-Pin HiP247-4 SCT040W65G3-4

RS tilauskoodi: 366-221Tuotemerkki: STMicroelectronicsValmistajan osanumero.: SCT040W65G3-4
brand-logo
Näytä kaikki MOSFETs tuotteet

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

30 A

Maximum Drain Source Voltage

650 V

Series

SCT

Package Type

HiP247-4

Mounting Type

Through Hole

Pin Count

4

Channel Mode

Enhancement

Number of Elements per Chip

1

Transistor Material

SiC

Alkuperämaa

China

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

€ 15,80

€ 15,80 kpl (ilman ALV)

€ 19,83

€ 19,83 kpl (Sis ALV:n)

STMicroelectronics SCT SiC N-Channel MOSFET, 30 A, 650 V, 4-Pin HiP247-4 SCT040W65G3-4

€ 15,80

€ 15,80 kpl (ilman ALV)

€ 19,83

€ 19,83 kpl (Sis ALV:n)

STMicroelectronics SCT SiC N-Channel MOSFET, 30 A, 650 V, 4-Pin HiP247-4 SCT040W65G3-4
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Tarkista myöhemmin uudelleen.

MääräYksikköhinta
1 - 9€ 15,80
10 - 99€ 14,30
100+€ 13,20

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

30 A

Maximum Drain Source Voltage

650 V

Series

SCT

Package Type

HiP247-4

Mounting Type

Through Hole

Pin Count

4

Channel Mode

Enhancement

Number of Elements per Chip

1

Transistor Material

SiC

Alkuperämaa

China

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja