STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH N-Channel MOSFET, 5.8 A, 900 V, 3-Pin D2PAK STB6NK90ZT4

RS tilauskoodi: 920-6639Tuotemerkki: STMicroelectronicsValmistajan osanumero.: STB6NK90ZT4
brand-logo
Näytä kaikki MOSFETs tuotteet

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

5.8 A

Maximum Drain Source Voltage

900 V

Series

MDmesh, SuperMESH

Package Type

D2PAK (TO-263)

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

2 Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

4.5V

Minimum Gate Threshold Voltage

3V

Maximum Power Dissipation

140 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-30 V, +30 V

Width

9.35mm

Transistor Material

Si

Number of Elements per Chip

1

Length

10.4mm

Typical Gate Charge @ Vgs

46.5 nC @ 10 V

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Height

4.6mm

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Tuotetiedot

N-Channel MDmesh™ SuperMESH™, 700V to 1200V, STMicroelectronics

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

€ 1 650,00

€ 1,65 1 kpl (1000 kpl/kela) (ilman ALV)

€ 2 070,75

€ 2,071 1 kpl (1000 kpl/kela) (Sis ALV:n)

STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH N-Channel MOSFET, 5.8 A, 900 V, 3-Pin D2PAK STB6NK90ZT4

€ 1 650,00

€ 1,65 1 kpl (1000 kpl/kela) (ilman ALV)

€ 2 070,75

€ 2,071 1 kpl (1000 kpl/kela) (Sis ALV:n)

STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH N-Channel MOSFET, 5.8 A, 900 V, 3-Pin D2PAK STB6NK90ZT4
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Tarkista myöhemmin uudelleen.

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

5.8 A

Maximum Drain Source Voltage

900 V

Series

MDmesh, SuperMESH

Package Type

D2PAK (TO-263)

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

2 Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

4.5V

Minimum Gate Threshold Voltage

3V

Maximum Power Dissipation

140 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-30 V, +30 V

Width

9.35mm

Transistor Material

Si

Number of Elements per Chip

1

Length

10.4mm

Typical Gate Charge @ Vgs

46.5 nC @ 10 V

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Height

4.6mm

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Tuotetiedot

N-Channel MDmesh™ SuperMESH™, 700V to 1200V, STMicroelectronics

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja