STMicroelectronics STripFET II N-Channel MOSFET, 80 A, 55 V, 3-Pin TO-220 STP80NF55-06
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
STMicroelectronicsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
80 A
Maximum Drain Source Voltage
55 V
Series
STripFET II
Package Type
TO-220
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
7 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
300 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Width
4.6mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Length
10.4mm
Typical Gate Charge @ Vgs
142 nC @ 10 V
Maximum Operating Temperature
+175 °C
Height
9.15mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Tuotetiedot
N-Channel STripFET™ II, STMicroelectronics
STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
€ 112,50
€ 2,25 1 kpl (50 kpl/putki) (ilman ALV)
€ 141,19
€ 2,824 1 kpl (50 kpl/putki) (Sis ALV:n)
50
€ 112,50
€ 2,25 1 kpl (50 kpl/putki) (ilman ALV)
€ 141,19
€ 2,824 1 kpl (50 kpl/putki) (Sis ALV:n)
50
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Tarkista myöhemmin uudelleen.
| Määrä | Yksikköhinta | Per Putki |
|---|---|---|
| 50 - 50 | € 2,25 | € 112,50 |
| 100 - 150 | € 2,00 | € 100,00 |
| 200 - 450 | € 1,95 | € 97,50 |
| 500 - 950 | € 1,90 | € 95,00 |
| 1000+ | € 1,85 | € 92,50 |
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
STMicroelectronicsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
80 A
Maximum Drain Source Voltage
55 V
Series
STripFET II
Package Type
TO-220
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
7 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
300 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Width
4.6mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Length
10.4mm
Typical Gate Charge @ Vgs
142 nC @ 10 V
Maximum Operating Temperature
+175 °C
Height
9.15mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Tuotetiedot
N-Channel STripFET™ II, STMicroelectronics
STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.