Texas Instruments NexFET N-Channel MOSFET, 134 A, 60 V, 8-Pin VSONP CSD18531Q5A
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
Texas InstrumentsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
134 A
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Series
NexFET
Package Type
VSONP
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
8
Maximum Drain Source Resistance
5.8 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.3V
Minimum Gate Threshold Voltage
1.5V
Maximum Power Dissipation
3.1 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Width
5mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Length
5.8mm
Typical Gate Charge @ Vgs
18 nC @ 4.5 V
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Height
1.1mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Tuotetiedot
N-Channel NexFET™ Power MOSFET, Texas Instruments
MOSFET Transistors, Texas Instruments
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
€ 9,25
€ 1,85 1 kpl (5 kpl/pakkaus) (ilman ALV)
€ 11,61
€ 2,322 1 kpl (5 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)
Standardi
5
€ 9,25
€ 1,85 1 kpl (5 kpl/pakkaus) (ilman ALV)
€ 11,61
€ 2,322 1 kpl (5 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)
Standardi
5
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Tarkista myöhemmin uudelleen.
| Määrä | Yksikköhinta | Per Pakkaus |
|---|---|---|
| 5 - 20 | € 1,85 | € 9,25 |
| 25 - 45 | € 1,80 | € 9,00 |
| 50 - 120 | € 1,60 | € 8,00 |
| 125 - 245 | € 1,45 | € 7,25 |
| 250+ | € 1,35 | € 6,75 |
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
Texas InstrumentsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
134 A
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Series
NexFET
Package Type
VSONP
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
8
Maximum Drain Source Resistance
5.8 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.3V
Minimum Gate Threshold Voltage
1.5V
Maximum Power Dissipation
3.1 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Width
5mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Length
5.8mm
Typical Gate Charge @ Vgs
18 nC @ 4.5 V
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Height
1.1mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Tuotetiedot
N-Channel NexFET™ Power MOSFET, Texas Instruments
MOSFET Transistors, Texas Instruments
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.