Toshiba TK N-Channel MOSFET, 20 A, 600 V, 3-Pin TO-247 TK20N60W,S1VF(S

RS tilauskoodi: 827-6167PTuotemerkki: ToshibaValmistajan osanumero.: TK20N60W,S1VF(S
brand-logo
Näytä kaikki MOSFETs tuotteet

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

Toshiba

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

20 A

Maximum Drain Source Voltage

600 V

Series

TK

Package Type

TO-247

Mounting Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

155 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

3.7V

Maximum Power Dissipation

165 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-30 V, +30 V

Width

5.02mm

Transistor Material

Si

Number of Elements per Chip

1

Length

15.94mm

Typical Gate Charge @ Vgs

48 nC @ 10 V

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Height

20.95mm

Alkuperämaa

China

Tuotetiedot

MOSFET N-Channel, TK2x Series, Toshiba

MOSFET Transistors, Toshiba

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

€ 84,00

€ 4,20 kpl (toimitus pussissa) (ilman ALV)

€ 105,42

€ 5,271 kpl (toimitus pussissa) (Sis ALV:n)

Toshiba TK N-Channel MOSFET, 20 A, 600 V, 3-Pin TO-247 TK20N60W,S1VF(S
Valitse pakkaustyyppi

€ 84,00

€ 4,20 kpl (toimitus pussissa) (ilman ALV)

€ 105,42

€ 5,271 kpl (toimitus pussissa) (Sis ALV:n)

Toshiba TK N-Channel MOSFET, 20 A, 600 V, 3-Pin TO-247 TK20N60W,S1VF(S

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Valitse pakkaustyyppi

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

MääräYksikköhintaPer Pussi
20 - 38€ 4,20€ 8,40
40 - 72€ 3,70€ 7,40
74 - 148€ 3,50€ 7,00
150+€ 3,40€ 6,80

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

Toshiba

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

20 A

Maximum Drain Source Voltage

600 V

Series

TK

Package Type

TO-247

Mounting Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

155 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

3.7V

Maximum Power Dissipation

165 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-30 V, +30 V

Width

5.02mm

Transistor Material

Si

Number of Elements per Chip

1

Length

15.94mm

Typical Gate Charge @ Vgs

48 nC @ 10 V

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Height

20.95mm

Alkuperämaa

China

Tuotetiedot

MOSFET N-Channel, TK2x Series, Toshiba

MOSFET Transistors, Toshiba

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja