Dual N/P-Channel MOSFET Transistor, 3.8 A, 6.6 A, 20 V, 8-Pin SOIC Vishay SI4500BDY-T1-E3

RS tilauskoodi: 710-3342Tuotemerkki: VishayValmistajan osanumero.: SI4500BDY-T1-E3
brand-logo
Näytä kaikki MOSFETs tuotteet

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

Vishay

Channel Type

N, P

Maximum Continuous Drain Current

3.8 A, 6.6 A

Maximum Drain Source Voltage

20 V

Package Type

SOIC

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance

20 mΩ, 60 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Gate Threshold Voltage

0.6V

Maximum Power Dissipation

1.3 W

Maximum Gate Source Voltage

-12 V, +12 V

Typical Gate Charge @ Vgs

11 nC @ 4.5 V, 6 nC @ 4.5 V

Number of Elements per Chip

2

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Length

5mm

Width

4mm

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Height

1.55mm

Alkuperämaa

China

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja
Saatat olla kiinnostunut
Vishay Dual N/P-Channel MOSFET, 4.3 A, 6 A, 30 V, 8-Pin SOIC SI4532CDY-T1-GE3
€ 0,7971 kpl (20 kpl/pakkaus) (ilman ALV)
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Hintaa ei saatavilla

1 kpl (5 kpl/pakkaus) (ilman ALV)

Dual N/P-Channel MOSFET Transistor, 3.8 A, 6.6 A, 20 V, 8-Pin SOIC Vishay SI4500BDY-T1-E3
Valitse pakkaustyyppi

Hintaa ei saatavilla

1 kpl (5 kpl/pakkaus) (ilman ALV)

Dual N/P-Channel MOSFET Transistor, 3.8 A, 6.6 A, 20 V, 8-Pin SOIC Vishay SI4500BDY-T1-E3
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Valitse pakkaustyyppi

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Tarkista myöhemmin uudelleen.

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja
Saatat olla kiinnostunut
Vishay Dual N/P-Channel MOSFET, 4.3 A, 6 A, 30 V, 8-Pin SOIC SI4532CDY-T1-GE3
€ 0,7971 kpl (20 kpl/pakkaus) (ilman ALV)

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

Vishay

Channel Type

N, P

Maximum Continuous Drain Current

3.8 A, 6.6 A

Maximum Drain Source Voltage

20 V

Package Type

SOIC

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance

20 mΩ, 60 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Gate Threshold Voltage

0.6V

Maximum Power Dissipation

1.3 W

Maximum Gate Source Voltage

-12 V, +12 V

Typical Gate Charge @ Vgs

11 nC @ 4.5 V, 6 nC @ 4.5 V

Number of Elements per Chip

2

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Length

5mm

Width

4mm

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Height

1.55mm

Alkuperämaa

China

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja
Saatat olla kiinnostunut
Vishay Dual N/P-Channel MOSFET, 4.3 A, 6 A, 30 V, 8-Pin SOIC SI4532CDY-T1-GE3
€ 0,7971 kpl (20 kpl/pakkaus) (ilman ALV)