Vishay Dual Silicon N-Channel MOSFET, 8.8 A, 100 V, 8-Pin PowerPAK 1212-8 SIS112LDN-T1-GE3

RS tilauskoodi: 268-8340Tuotemerkki: VishayValmistajan osanumero.: SIS112LDN-T1-GE3
brand-logo
Näytä kaikki MOSFETs tuotteet

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

Vishay

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

8.8 A

Maximum Drain Source Voltage

100 V

Package Type

PowerPAK 1212-8

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

8

Channel Mode

Enhancement

Number of Elements per Chip

2

Transistor Material

Silicon

Alkuperämaa

China

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

€ 13,78

€ 0,551 1 kpl (25 kpl/pakkaus) (ilman ALV)

€ 17,29

€ 0,692 1 kpl (25 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)

Vishay Dual Silicon N-Channel MOSFET, 8.8 A, 100 V, 8-Pin PowerPAK 1212-8 SIS112LDN-T1-GE3

25

Pakkauskoko 25
25€ 13,78
50€ 27,05
75€ 40,58
100€ 41,10
125€ 51,38
150€ 61,65
175€ 71,92
200€ 82,20
225€ 92,48
250€ 100,75
275€ 110,82
300€ 120,90
325€ 130,98
350€ 141,05
375€ 151,12

€ 13,78

€ 0,551 1 kpl (25 kpl/pakkaus) (ilman ALV)

€ 17,29

€ 0,692 1 kpl (25 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)

Vishay Dual Silicon N-Channel MOSFET, 8.8 A, 100 V, 8-Pin PowerPAK 1212-8 SIS112LDN-T1-GE3

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

25

Pakkauskoko 25
25€ 13,78
50€ 27,05
75€ 40,58
100€ 41,10
125€ 51,38
150€ 61,65
175€ 71,92
200€ 82,20
225€ 92,48
250€ 100,75
275€ 110,82
300€ 120,90
325€ 130,98
350€ 141,05
375€ 151,12

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

MääräYksikköhintaPer Pakkaus
25 - 25€ 0,551€ 13,78
50 - 75€ 0,541€ 13,52
100 - 225€ 0,411€ 10,28
250 - 975€ 0,403€ 10,08
1000+€ 0,25€ 6,25

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

Vishay

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

8.8 A

Maximum Drain Source Voltage

100 V

Package Type

PowerPAK 1212-8

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

8

Channel Mode

Enhancement

Number of Elements per Chip

2

Transistor Material

Silicon

Alkuperämaa

China

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja