Wolfspeed SiC N-Channel MOSFET, 63 A, 1200 V, 4-Pin TO-247-4 C3M0032120K
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
WolfspeedChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
63 A
Maximum Drain Source Voltage
1200 V
Package Type
TO-247-4
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
4
Maximum Drain Source Resistance
32 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
3.6V
Minimum Gate Threshold Voltage
1.8V
Maximum Power Dissipation
283 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-8 V, 19 V
Number of Elements per Chip
1
Width
5.21mm
Length
16.13mm
Typical Gate Charge @ Vgs
118 nC @ 4/15V
Transistor Material
SiC
Maximum Operating Temperature
+175 °C
Minimum Operating Temperature
-40 °C
Height
23.6mm
Alkuperämaa
China
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
€ 33,40
€ 33,40 kpl (ilman ALV)
€ 41,92
€ 41,92 kpl (Sis ALV:n)
1
€ 33,40
€ 33,40 kpl (ilman ALV)
€ 41,92
€ 41,92 kpl (Sis ALV:n)
1
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Tarkista myöhemmin uudelleen.
| Määrä | Yksikköhinta |
|---|---|
| 1 - 9 | € 33,40 |
| 10+ | € 32,80 |
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
WolfspeedChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
63 A
Maximum Drain Source Voltage
1200 V
Package Type
TO-247-4
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
4
Maximum Drain Source Resistance
32 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
3.6V
Minimum Gate Threshold Voltage
1.8V
Maximum Power Dissipation
283 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-8 V, 19 V
Number of Elements per Chip
1
Width
5.21mm
Length
16.13mm
Typical Gate Charge @ Vgs
118 nC @ 4/15V
Transistor Material
SiC
Maximum Operating Temperature
+175 °C
Minimum Operating Temperature
-40 °C
Height
23.6mm
Alkuperämaa
China
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.