N-Channel MOSFET, 115 mA, 60 V, 3-Pin SOT-23 Diodes Inc 2N7002-7-F

RS tilauskoodi: 122-0588Tuotemerkki: DiodesZetexValmistajan osanumero.: 2N7002-7-F
brand-logo
Näytä kaikki MOSFETs tuotteet

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

115 mA

Maximum Drain Source Voltage

60 V

Package Type

SOT-23

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

13.5 Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

2.5V

Maximum Power Dissipation

300 mW

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Number of Elements per Chip

1

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Transistor Material

Si

Length

3mm

Width

1.4mm

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Height

1.1mm

Alkuperämaa

China

Tuotetiedot

N-Channel MOSFET, 40V to 90V, Diodes Inc

MOSFET Transistors, Diodes Inc.

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Tarkista myöhemmin uudelleen.

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

€ 0,015

1 kpl (3000 kpl/kela) (ilman ALV)

€ 0,019

1 kpl (3000 kpl/kela) (Sis ALV:n)

N-Channel MOSFET, 115 mA, 60 V, 3-Pin SOT-23 Diodes Inc 2N7002-7-F

€ 0,015

1 kpl (3000 kpl/kela) (ilman ALV)

€ 0,019

1 kpl (3000 kpl/kela) (Sis ALV:n)

N-Channel MOSFET, 115 mA, 60 V, 3-Pin SOT-23 Diodes Inc 2N7002-7-F
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

115 mA

Maximum Drain Source Voltage

60 V

Package Type

SOT-23

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

13.5 Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

2.5V

Maximum Power Dissipation

300 mW

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Number of Elements per Chip

1

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Transistor Material

Si

Length

3mm

Width

1.4mm

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Height

1.1mm

Alkuperämaa

China

Tuotetiedot

N-Channel MOSFET, 40V to 90V, Diodes Inc

MOSFET Transistors, Diodes Inc.

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja