Diodes Inc N-Channel MOSFET, 3.9 A, 30 V, 3-Pin SOT-23 ZXMN3A14FTA

RS tilauskoodi: 708-2579PTuotemerkki: DiodesZetexValmistajan osanumero.: ZXMN3A14FTA
brand-logo
Näytä kaikki MOSFETs tuotteet

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

3.9 A

Maximum Drain Source Voltage

30 V

Package Type

SOT-23

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

95 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Gate Threshold Voltage

1V

Maximum Power Dissipation

1.5 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Number of Elements per Chip

1

Length

3.05mm

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Width

1.4mm

Transistor Material

Si

Typical Gate Charge @ Vgs

8.6 nC @ 10 V

Height

1.1mm

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Tuotetiedot

N-Channel MOSFET, 30V, Diodes Inc

MOSFET Transistors, Diodes Inc.

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

€ 3,18

€ 0,318 kpl (toimitus kelassa) (ilman ALV)

€ 3,99

€ 0,399 kpl (toimitus kelassa) (Sis ALV:n)

Diodes Inc N-Channel MOSFET, 3.9 A, 30 V, 3-Pin SOT-23 ZXMN3A14FTA
Valitse pakkaustyyppi

€ 3,18

€ 0,318 kpl (toimitus kelassa) (ilman ALV)

€ 3,99

€ 0,399 kpl (toimitus kelassa) (Sis ALV:n)

Diodes Inc N-Channel MOSFET, 3.9 A, 30 V, 3-Pin SOT-23 ZXMN3A14FTA

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Valitse pakkaustyyppi

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

3.9 A

Maximum Drain Source Voltage

30 V

Package Type

SOT-23

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

95 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Gate Threshold Voltage

1V

Maximum Power Dissipation

1.5 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Number of Elements per Chip

1

Length

3.05mm

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Width

1.4mm

Transistor Material

Si

Typical Gate Charge @ Vgs

8.6 nC @ 10 V

Height

1.1mm

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Tuotetiedot

N-Channel MOSFET, 30V, Diodes Inc

MOSFET Transistors, Diodes Inc.

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja