N-Channel MOSFET Transistor, 170 mA, 100 V, 3-Pin SOT-23 Infineon BSS123

RS tilauskoodi: 445-2297Tuotemerkki: InfineonValmistajan osanumero.: BSS123
brand-logo
Näytä kaikki MOSFETs tuotteet

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

Infineon

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

170 mA

Maximum Drain Source Voltage

100 V

Package Type

SOT-23

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

6 Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation

360 mW

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Typical Gate Charge @ Vgs

1.78 nC @ 10 V

Number of Elements per Chip

1

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Length

2.9mm

Width

1.3mm

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Height

1mm

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja
Saatat olla kiinnostunut
N-Channel MOSFET, 170 mA, 100 V, 3-Pin SOT-23 onsemi BSS123LT1G
€ 0,314kpl (toimitus kelassa) (ilman ALV)
N-Channel MOSFET, 170 mA, 100 V, 3-Pin SOT-23 onsemi BSS123
€ 0,3281 kpl (10 kpl/pakkaus) (ilman ALV)

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Tarkista myöhemmin uudelleen.

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

P.O.A.

N-Channel MOSFET Transistor, 170 mA, 100 V, 3-Pin SOT-23 Infineon BSS123
Valitse pakkaustyyppi

P.O.A.

N-Channel MOSFET Transistor, 170 mA, 100 V, 3-Pin SOT-23 Infineon BSS123
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Valitse pakkaustyyppi

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja
Saatat olla kiinnostunut
N-Channel MOSFET, 170 mA, 100 V, 3-Pin SOT-23 onsemi BSS123LT1G
€ 0,314kpl (toimitus kelassa) (ilman ALV)
N-Channel MOSFET, 170 mA, 100 V, 3-Pin SOT-23 onsemi BSS123
€ 0,3281 kpl (10 kpl/pakkaus) (ilman ALV)

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

Infineon

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

170 mA

Maximum Drain Source Voltage

100 V

Package Type

SOT-23

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

6 Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation

360 mW

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Typical Gate Charge @ Vgs

1.78 nC @ 10 V

Number of Elements per Chip

1

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Length

2.9mm

Width

1.3mm

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Height

1mm

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja
Saatat olla kiinnostunut
N-Channel MOSFET, 170 mA, 100 V, 3-Pin SOT-23 onsemi BSS123LT1G
€ 0,314kpl (toimitus kelassa) (ilman ALV)
N-Channel MOSFET, 170 mA, 100 V, 3-Pin SOT-23 onsemi BSS123
€ 0,3281 kpl (10 kpl/pakkaus) (ilman ALV)