Infineon 1200V 22.8A, SiC Schottky Diode, 2 + Tab-Pin TO-220 IDH08G120C5XKSA1
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
InfineonMounting Type
Through Hole
Package Type
TO-220
Maximum Continuous Forward Current
22.8A
Peak Reverse Repetitive Voltage
1200V
Diode Configuration
Single
Rectifier Type
Schottky Diode
Diode Type
SiC Schottky
Pin Count
2 + Tab
Maximum Forward Voltage Drop
2.85V
Number of Elements per Chip
1
Diode Technology
SiC Schottky
Peak Non-Repetitive Forward Surge Current
70A
Alkuperämaa
Malaysia
Tuotetiedot
thinQ! Silicon Carbide (SiC) Schottky Diode, Infineon
The Infineon thinQ!™ Generation 5 offers a new thin wafer technology for SiC Schottky Barrier diodes improving the thermal characteristics. The SiC Schottky Diode devices offer advantageous high voltage power semiconductor features such as higher breakdown field strength and improved thermal conductivity allowing greater efficiency levels. This latest generation is suitable for use in Telecom SMPS and high-end Servers, UPS systems, Motor drives, Solar Inverters as well as PC Silverbox and Lighting applications.
Diodes and Rectifiers, Infineon
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Tarkista myöhemmin uudelleen.
€ 2,05
1 kpl (500 kpl/putki) (ilman ALV)
€ 2,573
1 kpl (500 kpl/putki) (Sis ALV:n)
500
€ 2,05
1 kpl (500 kpl/putki) (ilman ALV)
€ 2,573
1 kpl (500 kpl/putki) (Sis ALV:n)
500
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
InfineonMounting Type
Through Hole
Package Type
TO-220
Maximum Continuous Forward Current
22.8A
Peak Reverse Repetitive Voltage
1200V
Diode Configuration
Single
Rectifier Type
Schottky Diode
Diode Type
SiC Schottky
Pin Count
2 + Tab
Maximum Forward Voltage Drop
2.85V
Number of Elements per Chip
1
Diode Technology
SiC Schottky
Peak Non-Repetitive Forward Surge Current
70A
Alkuperämaa
Malaysia
Tuotetiedot
thinQ! Silicon Carbide (SiC) Schottky Diode, Infineon
The Infineon thinQ!™ Generation 5 offers a new thin wafer technology for SiC Schottky Barrier diodes improving the thermal characteristics. The SiC Schottky Diode devices offer advantageous high voltage power semiconductor features such as higher breakdown field strength and improved thermal conductivity allowing greater efficiency levels. This latest generation is suitable for use in Telecom SMPS and high-end Servers, UPS systems, Motor drives, Solar Inverters as well as PC Silverbox and Lighting applications.
Diodes and Rectifiers, Infineon
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.