N-Channel MOSFET, 10.3 A, 600 V, 3-Pin TO-220 FP Infineon IPAW60R600CEXKSA1

RS tilauskoodi: 133-9867Tuotemerkki: InfineonValmistajan osanumero.: IPAW60R600CEXKSA1
brand-logo
Näytä kaikki MOSFETs tuotteet

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

Infineon

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

10.3 A

Maximum Drain Source Voltage

600 V

Series

CoolMOS™ CE

Package Type

TO-220 FP

Mounting Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

1.4 Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

3.5V

Minimum Gate Threshold Voltage

2.5V

Maximum Power Dissipation

28 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-30 V, +30 V

Width

4.9mm

Number of Elements per Chip

1

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Length

11.3mm

Typical Gate Charge @ Vgs

20.5 nC @ 10 V

Height

16.27mm

Minimum Operating Temperature

-40 °C

Forward Diode Voltage

0.9V

Alkuperämaa

China

Tuotetiedot

Infineon CoolMOS™ CE Power MOSFET

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Tarkista myöhemmin uudelleen.

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

€ 0,463

1 kpl (5 kpl/pakkaus) (ilman ALV)

€ 0,581

1 kpl (5 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)

N-Channel MOSFET, 10.3 A, 600 V, 3-Pin TO-220 FP Infineon IPAW60R600CEXKSA1
Valitse pakkaustyyppi

Standardi

Valitse pakkaustyyppi

Standardi - each

Pakkauskoko 5.

Tuotanto -

Pakkauskoko 5.

Suositellaan tilattaessa suuria määriä. Tuotteet on pakattu valmiiksi koneisiin asennettaviksi, jolloin voit parantaa tuotannon tehokkuutta.

5

Pakkauskoko 5
5€ 2,32
10€ 4,63
15€ 6,94
20€ 9,26
25€ 11,58
30€ 13,89
35€ 16,20
40€ 18,52
45€ 20,84
50€ 23,15
55€ 25,46
60€ 27,78
65€ 30,10
70€ 32,41
75€ 34,72

€ 0,463

1 kpl (5 kpl/pakkaus) (ilman ALV)

€ 0,581

1 kpl (5 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)

N-Channel MOSFET, 10.3 A, 600 V, 3-Pin TO-220 FP Infineon IPAW60R600CEXKSA1
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Valitse pakkaustyyppi

Standardi

Valitse pakkaustyyppi

Standardi - each

Pakkauskoko 5.

Tuotanto -

Pakkauskoko 5.

Suositellaan tilattaessa suuria määriä. Tuotteet on pakattu valmiiksi koneisiin asennettaviksi, jolloin voit parantaa tuotannon tehokkuutta.

5

Pakkauskoko 5
5€ 2,32
10€ 4,63
15€ 6,94
20€ 9,26
25€ 11,58
30€ 13,89
35€ 16,20
40€ 18,52
45€ 20,84
50€ 23,15
55€ 25,46
60€ 27,78
65€ 30,10
70€ 32,41
75€ 34,72

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

Infineon

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

10.3 A

Maximum Drain Source Voltage

600 V

Series

CoolMOS™ CE

Package Type

TO-220 FP

Mounting Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

1.4 Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

3.5V

Minimum Gate Threshold Voltage

2.5V

Maximum Power Dissipation

28 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-30 V, +30 V

Width

4.9mm

Number of Elements per Chip

1

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Length

11.3mm

Typical Gate Charge @ Vgs

20.5 nC @ 10 V

Height

16.27mm

Minimum Operating Temperature

-40 °C

Forward Diode Voltage

0.9V

Alkuperämaa

China

Tuotetiedot

Infineon CoolMOS™ CE Power MOSFET

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja