N-Channel MOSFET Transistor & Diode, 170 A, 100 V, 3-Pin D2PAK Infineon IPB033N10N5LFATMA1

RS tilauskoodi: 220-7379Tuotemerkki: InfineonValmistajan osanumero.: IPB033N10N5LFATMA1
brand-logo
Näytä kaikki MOSFETs tuotteet

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

Infineon

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

170 A

Maximum Drain Source Voltage

100 V

Series

OptiMOS™ 5

Package Type

D2PAK (TO-263)

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

0.0033 O

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

4.1V

Number of Elements per Chip

1

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Tarkista myöhemmin uudelleen.

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

€ 2,30

1 kpl (1000 kpl/kela) (ilman ALV)

€ 2,886

1 kpl (1000 kpl/kela) (Sis ALV:n)

N-Channel MOSFET Transistor & Diode, 170 A, 100 V, 3-Pin D2PAK Infineon IPB033N10N5LFATMA1

€ 2,30

1 kpl (1000 kpl/kela) (ilman ALV)

€ 2,886

1 kpl (1000 kpl/kela) (Sis ALV:n)

N-Channel MOSFET Transistor & Diode, 170 A, 100 V, 3-Pin D2PAK Infineon IPB033N10N5LFATMA1
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

Infineon

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

170 A

Maximum Drain Source Voltage

100 V

Series

OptiMOS™ 5

Package Type

D2PAK (TO-263)

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

0.0033 O

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

4.1V

Number of Elements per Chip

1

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja