N-Channel MOSFET, 195 A, 60 V, 3-Pin TO-220AB Infineon IRFB7530PBF

RS tilauskoodi: 820-8833Tuotemerkki: InfineonValmistajan osanumero.: IRFB7530PBF
brand-logo
Näytä kaikki MOSFETs tuotteet

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

Infineon

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

195 A

Maximum Drain Source Voltage

60 V

Package Type

TO-220AB

Series

StrongIRFET

Mounting Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

2 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

3.7V

Minimum Gate Threshold Voltage

2.1V

Maximum Power Dissipation

375 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Maximum Operating Temperature

+175 °C

Number of Elements per Chip

1

Length

10.67mm

Typical Gate Charge @ Vgs

274 nC @ 10 V

Width

4.83mm

Transistor Material

Si

Height

16.51mm

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Forward Diode Voltage

1.2V

Tuotetiedot

StrongIRFET™ Power MOSFET, Infineon

Infineon's StrongIRFET family is optimized for low RDS(on) and high-current capability. This portfolio offers improved gate, avalanche and dynamic dv/dt ruggedness ideal for industrial low frequency applications including motor drives, power tools, inverters and battery management where performance and robustness are essential.

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja
Saatat olla kiinnostunut

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Tarkista myöhemmin uudelleen.

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

€ 4,90

€ 2,45 1 kpl (2 kpl/pakkaus) (ilman ALV)

€ 6,15

€ 3,075 1 kpl (2 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)

N-Channel MOSFET, 195 A, 60 V, 3-Pin TO-220AB Infineon IRFB7530PBF
Valitse pakkaustyyppi

Standardi

Valitse pakkaustyyppi

Standardi - each

Pakkauskoko 2.

Tuotanto -

Pakkauskoko 2.

Suositellaan tilattaessa suuria määriä. Tuotteet on pakattu valmiiksi koneisiin asennettaviksi, jolloin voit parantaa tuotannon tehokkuutta.

2

Pakkauskoko 2
2€ 4,90
4€ 9,80
6€ 14,70
8€ 19,60
10€ 24,50
12€ 29,40
14€ 34,30
16€ 39,20
18€ 44,10
20€ 43,00
22€ 47,30
24€ 51,60
26€ 55,90
28€ 60,20
30€ 64,50

€ 4,90

€ 2,45 1 kpl (2 kpl/pakkaus) (ilman ALV)

€ 6,15

€ 3,075 1 kpl (2 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)

N-Channel MOSFET, 195 A, 60 V, 3-Pin TO-220AB Infineon IRFB7530PBF
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Valitse pakkaustyyppi

Standardi

Valitse pakkaustyyppi

Standardi - each

Pakkauskoko 2.

Tuotanto -

Pakkauskoko 2.

Suositellaan tilattaessa suuria määriä. Tuotteet on pakattu valmiiksi koneisiin asennettaviksi, jolloin voit parantaa tuotannon tehokkuutta.

2

Pakkauskoko 2
2€ 4,90
4€ 9,80
6€ 14,70
8€ 19,60
10€ 24,50
12€ 29,40
14€ 34,30
16€ 39,20
18€ 44,10
20€ 43,00
22€ 47,30
24€ 51,60
26€ 55,90
28€ 60,20
30€ 64,50

Osta irtotavarana

MääräYksikköhintaPer Pakkaus
2 - 18€ 2,45€ 4,90
20 - 48€ 2,15€ 4,30
50 - 98€ 2,05€ 4,10
100 - 198€ 1,90€ 3,80
200+€ 1,75€ 3,50

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja
Saatat olla kiinnostunut

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

Infineon

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

195 A

Maximum Drain Source Voltage

60 V

Package Type

TO-220AB

Series

StrongIRFET

Mounting Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

2 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

3.7V

Minimum Gate Threshold Voltage

2.1V

Maximum Power Dissipation

375 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Maximum Operating Temperature

+175 °C

Number of Elements per Chip

1

Length

10.67mm

Typical Gate Charge @ Vgs

274 nC @ 10 V

Width

4.83mm

Transistor Material

Si

Height

16.51mm

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Forward Diode Voltage

1.2V

Tuotetiedot

StrongIRFET™ Power MOSFET, Infineon

Infineon's StrongIRFET family is optimized for low RDS(on) and high-current capability. This portfolio offers improved gate, avalanche and dynamic dv/dt ruggedness ideal for industrial low frequency applications including motor drives, power tools, inverters and battery management where performance and robustness are essential.

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja
Saatat olla kiinnostunut