Dual N-Channel MOSFET Transistor & Diode, 24 A, 150 V, 3-Pin DPAK Infineon IRFR24N15DTRPBF
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
InfineonChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
24 A
Maximum Drain Source Voltage
150 V
Package Type
DPAK (TO-252)
Series
HEXFET
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
0.095 O
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
30V
Number of Elements per Chip
2
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Tarkista myöhemmin uudelleen.
€ 0,658
1 kpl (2000 kpl/kela) (ilman ALV)
€ 0,816
1 kpl (2000 kpl/kela) (Sis ALV:n)
2000
€ 0,658
1 kpl (2000 kpl/kela) (ilman ALV)
€ 0,816
1 kpl (2000 kpl/kela) (Sis ALV:n)
2000
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
InfineonChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
24 A
Maximum Drain Source Voltage
150 V
Package Type
DPAK (TO-252)
Series
HEXFET
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
0.095 O
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
30V
Number of Elements per Chip
2
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.