N-Channel MOSFET, 7.3 A, 650 V, 3-Pin DPAK Infineon SPD07N60C3BTMA1
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
InfineonChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
7.3 A
Maximum Drain Source Voltage
650 V
Package Type
DPAK (TO-252)
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
600 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
3.9V
Minimum Gate Threshold Voltage
2.1V
Maximum Power Dissipation
83 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Typical Gate Charge @ Vgs
21 nC @ 10 V
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Length
6.73mm
Number of Elements per Chip
1
Width
6.22mm
Transistor Material
Si
Series
CoolMOS C3
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Height
2.41mm
Tuotetiedot
Infineon CoolMOS™C3 Power MOSFET
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Tarkista myöhemmin uudelleen.
€ 0,982
kpl (toimitus kelassa) (ilman ALV)
€ 1,232
kpl (toimitus kelassa) (Sis ALV:n)
Tuotantopakkaus (Kela)
2
€ 0,982
kpl (toimitus kelassa) (ilman ALV)
€ 1,232
kpl (toimitus kelassa) (Sis ALV:n)
Tuotantopakkaus (Kela)
2
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
InfineonChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
7.3 A
Maximum Drain Source Voltage
650 V
Package Type
DPAK (TO-252)
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
600 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
3.9V
Minimum Gate Threshold Voltage
2.1V
Maximum Power Dissipation
83 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Typical Gate Charge @ Vgs
21 nC @ 10 V
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Length
6.73mm
Number of Elements per Chip
1
Width
6.22mm
Transistor Material
Si
Series
CoolMOS C3
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Height
2.41mm
Tuotetiedot
Infineon CoolMOS™C3 Power MOSFET
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.