N-Channel MOSFET, 66 A, 850 V, 3-Pin PLUS247 IXYS IXFX66N85X
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
IXYSChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
66 A
Maximum Drain Source Voltage
850 V
Series
HiperFET
Package Type
PLUS247
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
65 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
5.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
3.5V
Maximum Power Dissipation
1.25 kW
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±30 V
Width
5.21mm
Number of Elements per Chip
1
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Length
16.13mm
Typical Gate Charge @ Vgs
230 nC @ 10 V
Height
21.34mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.4V
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Tarkista myöhemmin uudelleen.
€ 23,20
1 kpl (30 kpl/putki) (ilman ALV)
€ 29,116
1 kpl (30 kpl/putki) (Sis ALV:n)
30
€ 23,20
1 kpl (30 kpl/putki) (ilman ALV)
€ 29,116
1 kpl (30 kpl/putki) (Sis ALV:n)
30
Osta irtotavarana
| Määrä | Yksikköhinta | Per Putki |
|---|---|---|
| 30 - 90 | € 23,20 | € 696,00 |
| 120 - 270 | € 20,80 | € 624,00 |
| 300 - 570 | € 20,10 | € 603,00 |
| 600 - 870 | € 19,60 | € 588,00 |
| 900+ | € 19,10 | € 573,00 |
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
IXYSChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
66 A
Maximum Drain Source Voltage
850 V
Series
HiperFET
Package Type
PLUS247
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
65 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
5.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
3.5V
Maximum Power Dissipation
1.25 kW
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±30 V
Width
5.21mm
Number of Elements per Chip
1
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Length
16.13mm
Typical Gate Charge @ Vgs
230 nC @ 10 V
Height
21.34mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.4V
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.