onsemi 1000V 1A, Silicon Junction Diode, 2-Pin DO-41 1N4007G
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
ON SemiconductorMounting Type
Through Hole
Package Type
DO-41
Maximum Continuous Forward Current
1A
Peak Reverse Repetitive Voltage
1000V
Diode Configuration
Single
Diode Type
Silicon Junction
Pin Count
2
Maximum Forward Voltage Drop
1.1V
Number of Elements per Chip
1
Diode Technology
Silicon Junction
Diameter
2.7mm
Peak Non-Repetitive Forward Surge Current
30A
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Tarkista myöhemmin uudelleen.
Hintaa ei saatavilla
Standardi
50
Hintaa ei saatavilla
Standardi
50
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
ON SemiconductorMounting Type
Through Hole
Package Type
DO-41
Maximum Continuous Forward Current
1A
Peak Reverse Repetitive Voltage
1000V
Diode Configuration
Single
Diode Type
Silicon Junction
Pin Count
2
Maximum Forward Voltage Drop
1.1V
Number of Elements per Chip
1
Diode Technology
Silicon Junction
Diameter
2.7mm
Peak Non-Repetitive Forward Surge Current
30A
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.