onsemi FGH40T100SMD IGBT, 80 A 1000 V, 3-Pin TO-247, Through Hole
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
ON SemiconductorMaximum Continuous Collector Current
80 A
Maximum Collector Emitter Voltage
1000 V
Maximum Gate Emitter Voltage
±20V
Maximum Power Dissipation
333 W
Package Type
TO-247
Mounting Type
Through Hole
Channel Type
N
Pin Count
3
Switching Speed
1MHz
Transistor Configuration
Single
Dimensions
15.87 x 4.82 x 20.82mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Maximum Operating Temperature
+175 °C
Tuotetiedot
Discrete IGBTs, 1000V and over, Fairchild Semiconductor
IGBT Discretes & Modules, Fairchild Semiconductor
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Tarkista myöhemmin uudelleen.
€ 5,10
1 kpl (2 kpl/pakkaus) (ilman ALV)
€ 6,40
1 kpl (2 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)
Standardi
2
€ 5,10
1 kpl (2 kpl/pakkaus) (ilman ALV)
€ 6,40
1 kpl (2 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)
Standardi
2
Osta irtotavarana
| Määrä | Yksikköhinta | Per Pakkaus |
|---|---|---|
| 2 - 8 | € 5,10 | € 10,20 |
| 10 - 98 | € 4,35 | € 8,70 |
| 100 - 248 | € 3,45 | € 6,90 |
| 250 - 498 | € 3,30 | € 6,60 |
| 500+ | € 3,10 | € 6,20 |
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
ON SemiconductorMaximum Continuous Collector Current
80 A
Maximum Collector Emitter Voltage
1000 V
Maximum Gate Emitter Voltage
±20V
Maximum Power Dissipation
333 W
Package Type
TO-247
Mounting Type
Through Hole
Channel Type
N
Pin Count
3
Switching Speed
1MHz
Transistor Configuration
Single
Dimensions
15.87 x 4.82 x 20.82mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Maximum Operating Temperature
+175 °C
Tuotetiedot
Discrete IGBTs, 1000V and over, Fairchild Semiconductor
IGBT Discretes & Modules, Fairchild Semiconductor
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.