onsemi 2N6045G NPN Darlington Transistor, 8 A 100 V HFE:100, 3-Pin TO-220AB
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
onsemiTransistor Type
NPN
Maximum Continuous Collector Current
8 A
Maximum Collector Emitter Voltage
100 V
Maximum Emitter Base Voltage
5 V
Package Type
TO-220AB
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
3
Transistor Configuration
Single
Number of Elements per Chip
1
Minimum DC Current Gain
100
Maximum Base Emitter Saturation Voltage
4.5 V
Maximum Collector Base Voltage
100 V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage
2 V
Maximum Collector Cut-off Current
20µA
Maximum Power Dissipation
75 W
Minimum Operating Temperature
-65 °C
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Length
15.75mm
Height
4.82mm
Width
10.28mm
Dimensions
15.75 x 10.28 x 4.82mm
Tuotetiedot
NPN Darlington Transistors, ON Semiconductor
Standards
Manufacturer Part Nos with S or NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Tarkista myöhemmin uudelleen.
€ 1,05
kpl (toimitus putkessa) (ilman ALV)
€ 1,318
kpl (toimitus putkessa) (Sis ALV:n)
Tuotantopakkaus (Putki)
5
€ 1,05
kpl (toimitus putkessa) (ilman ALV)
€ 1,318
kpl (toimitus putkessa) (Sis ALV:n)
Tuotantopakkaus (Putki)
5
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
onsemiTransistor Type
NPN
Maximum Continuous Collector Current
8 A
Maximum Collector Emitter Voltage
100 V
Maximum Emitter Base Voltage
5 V
Package Type
TO-220AB
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
3
Transistor Configuration
Single
Number of Elements per Chip
1
Minimum DC Current Gain
100
Maximum Base Emitter Saturation Voltage
4.5 V
Maximum Collector Base Voltage
100 V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage
2 V
Maximum Collector Cut-off Current
20µA
Maximum Power Dissipation
75 W
Minimum Operating Temperature
-65 °C
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Length
15.75mm
Height
4.82mm
Width
10.28mm
Dimensions
15.75 x 10.28 x 4.82mm
Tuotetiedot
NPN Darlington Transistors, ON Semiconductor
Standards
Manufacturer Part Nos with S or NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.