Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
onsemiChannel Type
N
Idss Drain-Source Cut-off Current
8 to 80mA
Maximum Drain Source Voltage
0.4 V
Maximum Gate Source Voltage
-40 V
Maximum Drain Gate Voltage
40V
Transistor Configuration
Single
Configuration
Single
Mounting Type
Surface Mount
Package Type
SOT-23
Pin Count
3
Dimensions
2.9 x 1.3 x 0.97mm
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Length
2.9mm
Height
0.97mm
Width
1.3mm
Tuotetiedot
N-channel JFET, Fairchild Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Tarkista myöhemmin uudelleen.
€ 77,50
€ 0,155 kpl (toimitus kelassa) (ilman ALV)
€ 97,26
€ 0,195 kpl (toimitus kelassa) (Sis ALV:n)
Tuotantopakkaus (Kela)
500
€ 77,50
€ 0,155 kpl (toimitus kelassa) (ilman ALV)
€ 97,26
€ 0,195 kpl (toimitus kelassa) (Sis ALV:n)
Tuotantopakkaus (Kela)
500
Osta irtotavarana
Määrä | Yksikköhinta | Per Kela |
---|---|---|
500 - 900 | € 0,155 | € 15,50 |
1000+ | € 0,135 | € 13,50 |
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
onsemiChannel Type
N
Idss Drain-Source Cut-off Current
8 to 80mA
Maximum Drain Source Voltage
0.4 V
Maximum Gate Source Voltage
-40 V
Maximum Drain Gate Voltage
40V
Transistor Configuration
Single
Configuration
Single
Mounting Type
Surface Mount
Package Type
SOT-23
Pin Count
3
Dimensions
2.9 x 1.3 x 0.97mm
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Length
2.9mm
Height
0.97mm
Width
1.3mm
Tuotetiedot
N-channel JFET, Fairchild Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.