N-Channel MOSFET, 170 mA, 100 V, 3-Pin SOT-23 onsemi BSS123

RS tilauskoodi: 671-0321Tuotemerkki: onsemiValmistajan osanumero.: BSS123
brand-logo
Näytä kaikki MOSFETs tuotteet

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

onsemi

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

170 mA

Maximum Drain Source Voltage

100 V

Series

PowerTrench

Package Type

SOT-23

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

6 Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

2V

Minimum Gate Threshold Voltage

0.8V

Maximum Power Dissipation

360 mW

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Typical Gate Charge @ Vgs

1.8 nC @ 10 V

Number of Elements per Chip

1

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Length

2.92mm

Width

1.3mm

Transistor Material

Si

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Height

0.93mm

Tuotetiedot

PowerTrench® N-Channel MOSFET, up to 9.9A, Fairchild Semiconductor

MOSFET Transistors, ON Semi

ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja
Saatat olla kiinnostunut
N-Channel MOSFET Transistor, 170 mA, 100 V, 3-Pin SOT-23 Infineon BSS123
Hintaa ei saatavilla1 kpl (10 kpl/pakkaus) (ilman ALV)

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Tarkista myöhemmin uudelleen.

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

€ 0,261

1 kpl (10 kpl/pakkaus) (ilman ALV)

€ 0,328

1 kpl (10 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)

N-Channel MOSFET, 170 mA, 100 V, 3-Pin SOT-23 onsemi BSS123
Valitse pakkaustyyppi

€ 0,261

1 kpl (10 kpl/pakkaus) (ilman ALV)

€ 0,328

1 kpl (10 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)

N-Channel MOSFET, 170 mA, 100 V, 3-Pin SOT-23 onsemi BSS123
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Valitse pakkaustyyppi

Osta irtotavarana

MääräYksikköhintaPer Pakkaus
10 - 90€ 0,261€ 2,61
100 - 240€ 0,225€ 2,25
250 - 490€ 0,195€ 1,95
500 - 990€ 0,171€ 1,71
1000+€ 0,156€ 1,56

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja
Saatat olla kiinnostunut
N-Channel MOSFET Transistor, 170 mA, 100 V, 3-Pin SOT-23 Infineon BSS123
Hintaa ei saatavilla1 kpl (10 kpl/pakkaus) (ilman ALV)

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

onsemi

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

170 mA

Maximum Drain Source Voltage

100 V

Series

PowerTrench

Package Type

SOT-23

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

6 Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

2V

Minimum Gate Threshold Voltage

0.8V

Maximum Power Dissipation

360 mW

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Typical Gate Charge @ Vgs

1.8 nC @ 10 V

Number of Elements per Chip

1

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Length

2.92mm

Width

1.3mm

Transistor Material

Si

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Height

0.93mm

Tuotetiedot

PowerTrench® N-Channel MOSFET, up to 9.9A, Fairchild Semiconductor

MOSFET Transistors, ON Semi

ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja
Saatat olla kiinnostunut
N-Channel MOSFET Transistor, 170 mA, 100 V, 3-Pin SOT-23 Infineon BSS123
Hintaa ei saatavilla1 kpl (10 kpl/pakkaus) (ilman ALV)