OSI Optoelectronics, OSD1-E IR Si Photodiode, Through Hole TO-18
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
OSI OptoelectronicsSpectrums Detected
Infrared
Wavelength of Peak Sensitivity
550nm
Package Type
TO-18
Amplifier Function
No
Mounting Type
Through Hole
Number of Pins
2
Diode Material
Si
Height
0.2in
Diameter
5.33mm
Series
OSD
Polarity
Reverse
Alkuperämaa
Malaysia
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Tarkista myöhemmin uudelleen.
€ 37,90
kpl (ilman ALV)
€ 47,56
kpl (Sis ALV:n)
1
€ 37,90
kpl (ilman ALV)
€ 47,56
kpl (Sis ALV:n)
1
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
OSI OptoelectronicsSpectrums Detected
Infrared
Wavelength of Peak Sensitivity
550nm
Package Type
TO-18
Amplifier Function
No
Mounting Type
Through Hole
Number of Pins
2
Diode Material
Si
Height
0.2in
Diameter
5.33mm
Series
OSD
Polarity
Reverse
Alkuperämaa
Malaysia
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.