Panasonic PCB Mount Non-Latching Relay, 24V dc Coil, 5A Switching Current, 4PDT

RS tilauskoodi: 173-8855Tuotemerkki: PanasonicValmistajan osanumero.: HC4HP24IMPA: 0
brand-logo
Näytä kaikki Power Relays tuotteet

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Minimum Operating Temperature

-50°C

Maximum Switching Power AC

1.25 kVA

Maximum Operating Temperature

+70°C

Switching Current

5A

Isolation Coil To Contact

2kV rms

Maximum Switching Voltage AC

250V ac

Contact Material

Gold Plated

Coil Voltage

24V dc

Mounting Type

PCB Mount

Terminal Type

Through Hole

Contact Configuration

4PDT

Length

20.8mm

Life

100000000 (DC Mechanical) cycles, 200000 (Electrical) cycles, 50000000 (AC Mechanical) cycles

Depth

27.2mm

Coil Power

900mW

Height

35.2mm

Coil Resistance

650 <ohm/>

Merkki

Panasonic

Alkuperämaa

Japan

Tuotetiedot

IGBT Discretes, IXYS XPT series

The XPT™ range of discrete IGBTs from IXYS feature Extreme-light Punch-Through thin wafer technology, resulting in reduced thermal resistance and lower energy losses. These devices offer fast switching times with low tail current, and are available in a variety of industry standard and proprietary packages.

IGBT Discretes & Modules, IXYS

The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Tarkista myöhemmin uudelleen.

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

€ 10,30

1 kpl (20 kpl/laatikko) (ilman ALV)

€ 12,772

1 kpl (20 kpl/laatikko) (Sis ALV:n)

Panasonic PCB Mount Non-Latching Relay, 24V dc Coil, 5A Switching Current, 4PDT

€ 10,30

1 kpl (20 kpl/laatikko) (ilman ALV)

€ 12,772

1 kpl (20 kpl/laatikko) (Sis ALV:n)

Panasonic PCB Mount Non-Latching Relay, 24V dc Coil, 5A Switching Current, 4PDT
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Minimum Operating Temperature

-50°C

Maximum Switching Power AC

1.25 kVA

Maximum Operating Temperature

+70°C

Switching Current

5A

Isolation Coil To Contact

2kV rms

Maximum Switching Voltage AC

250V ac

Contact Material

Gold Plated

Coil Voltage

24V dc

Mounting Type

PCB Mount

Terminal Type

Through Hole

Contact Configuration

4PDT

Length

20.8mm

Life

100000000 (DC Mechanical) cycles, 200000 (Electrical) cycles, 50000000 (AC Mechanical) cycles

Depth

27.2mm

Coil Power

900mW

Height

35.2mm

Coil Resistance

650 <ohm/>

Merkki

Panasonic

Alkuperämaa

Japan

Tuotetiedot

IGBT Discretes, IXYS XPT series

The XPT™ range of discrete IGBTs from IXYS feature Extreme-light Punch-Through thin wafer technology, resulting in reduced thermal resistance and lower energy losses. These devices offer fast switching times with low tail current, and are available in a variety of industry standard and proprietary packages.

IGBT Discretes & Modules, IXYS

The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja