Dual P-Channel MOSFET, 9 A, 30 V, 8-Pin SOP ROHM SH8J66TB1
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
ROHMChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
9 A
Maximum Drain Source Voltage
30 V
Series
SH8J66
Package Type
SOP
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
8
Maximum Drain Source Resistance
18.5 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
1V
Maximum Power Dissipation
2 W
Maximum Gate Source Voltage
±20 V
Number of Elements per Chip
2
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Length
5.2mm
Typical Gate Charge @ Vgs
35 nC @ 5 V
Width
4.05mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.2V
Height
1.6mm
Alkuperämaa
Thailand
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Tarkista myöhemmin uudelleen.
€ 3,20
1 kpl (5 kpl/pakkaus) (ilman ALV)
€ 3,968
1 kpl (5 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)
5
€ 3,20
1 kpl (5 kpl/pakkaus) (ilman ALV)
€ 3,968
1 kpl (5 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)
5
Osta irtotavarana
| Määrä | Yksikköhinta | Per Pakkaus |
|---|---|---|
| 5 - 45 | € 3,20 | € 16,00 |
| 50 - 95 | € 2,90 | € 14,50 |
| 100 - 245 | € 2,60 | € 13,00 |
| 250 - 995 | € 2,40 | € 12,00 |
| 1000+ | € 2,25 | € 11,25 |
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
ROHMChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
9 A
Maximum Drain Source Voltage
30 V
Series
SH8J66
Package Type
SOP
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
8
Maximum Drain Source Resistance
18.5 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
1V
Maximum Power Dissipation
2 W
Maximum Gate Source Voltage
±20 V
Number of Elements per Chip
2
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Length
5.2mm
Typical Gate Charge @ Vgs
35 nC @ 5 V
Width
4.05mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.2V
Height
1.6mm
Alkuperämaa
Thailand
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.