Semikron SKM150GAR12T4 Single IGBT Module, 232 A 1200 V, 5-Pin SEMITRANS2, Panel Mount
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
SemikronMaximum Continuous Collector Current
232 A
Maximum Collector Emitter Voltage
1200 V
Maximum Gate Emitter Voltage
±20V
Package Type
SEMITRANS2
Configuration
Single
Mounting Type
Panel Mount
Channel Type
N
Pin Count
5
Transistor Configuration
Single
Dimensions
94 x 34 x 30.1mm
Minimum Operating Temperature
-40 °C
Maximum Operating Temperature
+175 °C
Tuotetiedot
Single IGBT Modules
SEMIKRON offers IGBT (Insulated-Gate Bipolar Transistor) modules in SEMITRANS, SEMiX and SEMITOP packages in different topologies, current and voltage ratings.
IGBT Modules, Semikron
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Tarkista myöhemmin uudelleen.
€ 109,00
kpl (ilman ALV)
€ 136,80
kpl (Sis ALV:n)
1
€ 109,00
kpl (ilman ALV)
€ 136,80
kpl (Sis ALV:n)
1
Osta irtotavarana
| Määrä | Yksikköhinta |
|---|---|
| 1 - 9 | € 109,00 |
| 10 - 19 | € 81,50 |
| 20+ | € 77,00 |
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
SemikronMaximum Continuous Collector Current
232 A
Maximum Collector Emitter Voltage
1200 V
Maximum Gate Emitter Voltage
±20V
Package Type
SEMITRANS2
Configuration
Single
Mounting Type
Panel Mount
Channel Type
N
Pin Count
5
Transistor Configuration
Single
Dimensions
94 x 34 x 30.1mm
Minimum Operating Temperature
-40 °C
Maximum Operating Temperature
+175 °C
Tuotetiedot
Single IGBT Modules
SEMIKRON offers IGBT (Insulated-Gate Bipolar Transistor) modules in SEMITRANS, SEMiX and SEMITOP packages in different topologies, current and voltage ratings.
IGBT Modules, Semikron
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.