STMicroelectronics BUT100 NPN Bipolar Transistor, 125 V, 3-Pin TO-3
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
STMicroelectronicsTransistor Type
NPN
Maximum Collector Emitter Voltage
125 V
Package Type
TO-3
Mounting Type
Through Hole
Maximum Power Dissipation
300 W
Maximum Collector Base Voltage
200 V
Maximum Emitter Base Voltage
7 V
Pin Count
3
Number of Elements per Chip
1
Maximum Operating Temperature
+200 °C
Dimensions
8.7 x 39.5 x 26.2mm
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Tarkista myöhemmin uudelleen.
Hintaa ei saatavilla
1
Hintaa ei saatavilla
1
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
STMicroelectronicsTransistor Type
NPN
Maximum Collector Emitter Voltage
125 V
Package Type
TO-3
Mounting Type
Through Hole
Maximum Power Dissipation
300 W
Maximum Collector Base Voltage
200 V
Maximum Emitter Base Voltage
7 V
Pin Count
3
Number of Elements per Chip
1
Maximum Operating Temperature
+200 °C
Dimensions
8.7 x 39.5 x 26.2mm
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.