STMicroelectronics ST N-Channel MOSFET Module, 25 A, 600 V, 3-Pin D2PAK STB33N60DM6
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
STMicroelectronicsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
25 A
Maximum Drain Source Voltage
600 V
Package Type
D2PAK (TO-263)
Series
ST
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
0.115 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4.75V
Number of Elements per Chip
1
Transistor Material
SiC
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
€ 3 700,00
€ 3,70 1 kpl (1000 kpl/kela) (ilman ALV)
€ 4 643,50
€ 4,644 1 kpl (1000 kpl/kela) (Sis ALV:n)
1000
€ 3 700,00
€ 3,70 1 kpl (1000 kpl/kela) (ilman ALV)
€ 4 643,50
€ 4,644 1 kpl (1000 kpl/kela) (Sis ALV:n)
1000
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Tarkista myöhemmin uudelleen.
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
STMicroelectronicsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
25 A
Maximum Drain Source Voltage
600 V
Package Type
D2PAK (TO-263)
Series
ST
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
0.115 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4.75V
Number of Elements per Chip
1
Transistor Material
SiC
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.