P-Channel MOSFET, 10 A, 40 V, 8-Pin SOIC STMicroelectronics STS10P4LLF6
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
STMicroelectronicsChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
10 A
Maximum Drain Source Voltage
40 V
Series
STripFET
Package Type
SOIC
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
8
Maximum Drain Source Resistance
20 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
1V
Maximum Power Dissipation
2.7 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Width
4mm
Number of Elements per Chip
1
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Transistor Material
Si
Length
5mm
Typical Gate Charge @ Vgs
34 nC @ 4.5 V
Height
1.5mm
Forward Diode Voltage
1.1V
Alkuperämaa
China
Tuotetiedot
P-Channel STripFET™ Power MOSFET, STMicroelectronics
STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Tarkista myöhemmin uudelleen.
€ 2 345,00
€ 0,938 1 kpl (2500 kpl/kela) (ilman ALV)
€ 2 942,98
€ 1,177 1 kpl (2500 kpl/kela) (Sis ALV:n)
2500
€ 2 345,00
€ 0,938 1 kpl (2500 kpl/kela) (ilman ALV)
€ 2 942,98
€ 1,177 1 kpl (2500 kpl/kela) (Sis ALV:n)
2500
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
STMicroelectronicsChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
10 A
Maximum Drain Source Voltage
40 V
Series
STripFET
Package Type
SOIC
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
8
Maximum Drain Source Resistance
20 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
1V
Maximum Power Dissipation
2.7 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Width
4mm
Number of Elements per Chip
1
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Transistor Material
Si
Length
5mm
Typical Gate Charge @ Vgs
34 nC @ 4.5 V
Height
1.5mm
Forward Diode Voltage
1.1V
Alkuperämaa
China
Tuotetiedot
P-Channel STripFET™ Power MOSFET, STMicroelectronics
STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.