N-Channel MOSFET, 25 A, 600 V, 3-Pin TO-220SIS Toshiba TK25A60X5,S5X(M
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
ToshibaChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
25 A
Maximum Drain Source Voltage
600 V
Series
DTMOSIV
Package Type
TO-220SIS
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
140 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
3V
Maximum Power Dissipation
45 W
Maximum Gate Source Voltage
-30 V, +30 V
Width
4.5mm
Number of Elements per Chip
1
Transistor Material
Si
Length
10mm
Typical Gate Charge @ Vgs
60 nC @ 10 V
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Height
15mm
Forward Diode Voltage
1.7V
Tuotetiedot
MOSFET N-Channel, TK2x Series, Toshiba
MOSFET Transistors, Toshiba
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Tarkista myöhemmin uudelleen.
€ 2,25
1 kpl (2 kpl/pakkaus) (ilman ALV)
€ 2,824
1 kpl (2 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)
2
€ 2,25
1 kpl (2 kpl/pakkaus) (ilman ALV)
€ 2,824
1 kpl (2 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)
2
Osta irtotavarana
| Määrä | Yksikköhinta | Per Pakkaus |
|---|---|---|
| 2 - 8 | € 2,25 | € 4,50 |
| 10 - 18 | € 1,70 | € 3,40 |
| 20 - 48 | € 1,65 | € 3,30 |
| 50 - 98 | € 1,60 | € 3,20 |
| 100+ | € 1,55 | € 3,10 |
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
ToshibaChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
25 A
Maximum Drain Source Voltage
600 V
Series
DTMOSIV
Package Type
TO-220SIS
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
140 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
3V
Maximum Power Dissipation
45 W
Maximum Gate Source Voltage
-30 V, +30 V
Width
4.5mm
Number of Elements per Chip
1
Transistor Material
Si
Length
10mm
Typical Gate Charge @ Vgs
60 nC @ 10 V
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Height
15mm
Forward Diode Voltage
1.7V
Tuotetiedot
MOSFET N-Channel, TK2x Series, Toshiba
MOSFET Transistors, Toshiba
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.