N-Channel MOSFET, 30.8 A, 600 V, 3-Pin TO-220 Toshiba TK31E60X,S1X(S

RS tilauskoodi: 125-0563Tuotemerkki: ToshibaValmistajan osanumero.: TK31E60X,S1X(S
brand-logo
Näytä kaikki MOSFETs tuotteet

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

Toshiba

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

30.8 A

Maximum Drain Source Voltage

600 V

Series

DTMOSIV

Package Type

TO-220

Mounting Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

88 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

3.5V

Minimum Gate Threshold Voltage

2.5V

Maximum Power Dissipation

230 W

Maximum Gate Source Voltage

-30 V, +30 V

Width

4.45mm

Number of Elements per Chip

1

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Transistor Material

Si

Length

10.16mm

Typical Gate Charge @ Vgs

65 nC @ 10 V

Height

15.1mm

Forward Diode Voltage

1.7V

Alkuperämaa

Japan

Tuotetiedot

MOSFET N-Channel, TK3x Series, Toshiba

MOSFET Transistors, Toshiba

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Tarkista myöhemmin uudelleen.

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

€ 7,90

€ 3,95 1 kpl (2 kpl/pakkaus) (ilman ALV)

€ 9,91

€ 4,957 1 kpl (2 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)

N-Channel MOSFET, 30.8 A, 600 V, 3-Pin TO-220 Toshiba TK31E60X,S1X(S

2

Pakkauskoko 2
2€ 7,90
4€ 15,80
6€ 23,70
8€ 31,60
10€ 29,00
12€ 34,80
14€ 40,60
16€ 46,40
18€ 52,20
20€ 57,00
22€ 62,70
24€ 68,40
26€ 74,10
28€ 79,80
30€ 85,50

€ 7,90

€ 3,95 1 kpl (2 kpl/pakkaus) (ilman ALV)

€ 9,91

€ 4,957 1 kpl (2 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)

N-Channel MOSFET, 30.8 A, 600 V, 3-Pin TO-220 Toshiba TK31E60X,S1X(S
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

2

Pakkauskoko 2
2€ 7,90
4€ 15,80
6€ 23,70
8€ 31,60
10€ 29,00
12€ 34,80
14€ 40,60
16€ 46,40
18€ 52,20
20€ 57,00
22€ 62,70
24€ 68,40
26€ 74,10
28€ 79,80
30€ 85,50

Osta irtotavarana

MääräYksikköhintaPer Pakkaus
2 - 8€ 3,95€ 7,90
10 - 18€ 2,90€ 5,80
20 - 48€ 2,85€ 5,70
50 - 98€ 2,75€ 5,50
100+€ 2,70€ 5,40

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

Toshiba

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

30.8 A

Maximum Drain Source Voltage

600 V

Series

DTMOSIV

Package Type

TO-220

Mounting Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

88 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

3.5V

Minimum Gate Threshold Voltage

2.5V

Maximum Power Dissipation

230 W

Maximum Gate Source Voltage

-30 V, +30 V

Width

4.45mm

Number of Elements per Chip

1

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Transistor Material

Si

Length

10.16mm

Typical Gate Charge @ Vgs

65 nC @ 10 V

Height

15.1mm

Forward Diode Voltage

1.7V

Alkuperämaa

Japan

Tuotetiedot

MOSFET N-Channel, TK3x Series, Toshiba

MOSFET Transistors, Toshiba

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja