P-Channel MOSFET, 100 A, 30 V, 3-Pin DPAK Vishay Siliconix SQD40031EL_GE3
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
Vishay SiliconixChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
100 A
Maximum Drain Source Voltage
30 V
Series
TrenchFET
Package Type
DPAK (TO-252)
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
5 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
1.5V
Maximum Power Dissipation
136 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±20 V
Number of Elements per Chip
1
Maximum Operating Temperature
+175 °C
Length
6.73mm
Typical Gate Charge @ Vgs
186 nC @ 10 V
Width
2.38mm
Transistor Material
Si
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.5V
Height
6.22mm
Alkuperämaa
Taiwan, Province Of China
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Tarkista myöhemmin uudelleen.
€ 14,00
€ 1,40 1 kpl (10 kpl/pakkaus) (ilman ALV)
€ 17,57
€ 1,757 1 kpl (10 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)
Standardi
10
€ 14,00
€ 1,40 1 kpl (10 kpl/pakkaus) (ilman ALV)
€ 17,57
€ 1,757 1 kpl (10 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)
Standardi
10
Osta irtotavarana
| Määrä | Yksikköhinta | Per Pakkaus |
|---|---|---|
| 10 - 90 | € 1,40 | € 14,00 |
| 100 - 490 | € 1,20 | € 12,00 |
| 500 - 990 | € 1,05 | € 10,50 |
| 1000+ | € 0,907 | € 9,07 |
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
Vishay SiliconixChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
100 A
Maximum Drain Source Voltage
30 V
Series
TrenchFET
Package Type
DPAK (TO-252)
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
5 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
1.5V
Maximum Power Dissipation
136 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±20 V
Number of Elements per Chip
1
Maximum Operating Temperature
+175 °C
Length
6.73mm
Typical Gate Charge @ Vgs
186 nC @ 10 V
Width
2.38mm
Transistor Material
Si
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.5V
Height
6.22mm
Alkuperämaa
Taiwan, Province Of China
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.